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射频易商城_芯片电容_一种电容式芯片新结构②

2023-03-21 责任编辑:未填 浏览数:26 B2B商机网|娇娇科技-免费b2b网站-免费的供求信息发布平台

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一种电容式芯片结构②

或下极板(3) 、中间极板(4) 和上极板(6) 的组合为多组,沿竖向布置;上方组的中间极板(4) 为相邻下方组的上极板(6) ;上方组的下极板(3) 为相邻下方组的中间极板(4) ;最上方组的上极板(6) 和最下方组的下极板(3) 为感压极板; 上方组的上极板(6) 、上方组的下极板(3) 接极性的电信号,上方组的中间极板(4) 和相邻下方组的下极板(3) 接第二极性的电信号,极性与第二极性相反。作为另一种优选方案,本实用新型所述下极板(3) 、中间极板(4) 和上极板(6)的组合为两组,沿竖向布置;上方组的下极板(3) 为下方组的上极板(6) ; 上方组的上极板(6) 和下方组的下极板(3) 为感压极板; 上方组的上极板(6) 、上方组的下极板(3) 和下方组的下极板(3) 接极性的电信号,上方组的中间极板(4) 和下方组的中间极板(4) 接第二极性的电信号,极性与第二极性相反。作为另一种优选方案,本实用新型所述中间极板(4) 上设置有介质层

作为另一种优选方案,本实用新型所述下极板(3) 设置在衬底(2) 。作为另一种优选方案,本实用新型所述衬底(2) 下端设置有垫块。作为另一种优选方案,本实用新型所述下极板(3) 外端向外延伸,向外延伸部的外

端设置在衬底(2) 上,该向外延伸部上设置有通孔形成进压腔使下极板感压;作为另一种优选方案,本实用新型在所述衬底上设置通孔形成进压腔使下极板感压。作为另一种优选方案, 本实用新型所述上密封腔体的高度大于下密封腔体的高度。作为另一种优选方案, 本实用新型所述上密封腔体的长度大于下密封腔体的长度。作为另一种优选方案,本实用新型所述上极板(6)的厚度小于中间极板(4) 和下极板(3)的厚度。作为另一种优选方案,本实用新型所述衬底(2) 为单晶硅衬底。其次,本实用新型所述下极板(3) 下方为进压腔(1) ,下极板(3) 为感压极板,中间极板(4) 为可动极板,上极板(6) 为感压极板。另外,本实用新型所述上、中、下三个极板通过压焊点及金属引线(8) 或压焊点与外部电路连接。本实用新型结构使用时,上极板感可用作感压极板,上极板(6) 与中间极板(4) 形成感压可变电容,中间极板(4) 和下极板(3) 可形成感压不变电容,将两个电容联接形成差分电容结构,抗共模干扰信号,输出特性更好。对比现在普遍应用平面排列的差分电容结构芯片,本实用新型更节省芯片面积,芯片面积可减小约二分之一。

推荐产品一、丽芯微电10000pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容


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容值/容差:10000pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@25V
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性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。


推荐产品二、丽芯微电1000pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容


型号:C12-30-50V-102
容值/容差:1000pF / ±20%
温度系数:±15%@-55~+125℃
绝缘电阻@电压:≥1G@50V
损耗@频率:≤2.5@1MHz
封装尺寸:0.762*0.762*0.178 mm
性能特点:尺寸小、容值大,结构简单,单面电极留有绝缘边;采用MM结构,产品寄生参数小,使用频率高至100GHz;表面纯金电极,适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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