晶扬电子 应用于USB2.0 接口ESD防护方案1

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一、USB的发展历程

USB1.0

1996年USB 1.0出现，其速度为1.5Mb/s（位每秒）；在1998年升级到速度为12Mb/s的USB 1.1，目前，大部分MP3为此接口类型

USB2.0

2000年，USB2.0在1.0基础上，速度升级到480mbps，速度是USB1.0的40倍，被称为USB2.0的高速（High-speed）版本

USB3.0

2008，USB3.0世，5.0Gbps（500MB/s）

USB3.2

2017年，市场首次讨论了USB 3.2，该标准可提供高达20Gbps的数据速率，USB 3.2在2019年上市

以下是USB 3.2各代的速度差异●  USB 3.2 Gen 1称为USB 3.0，速度5 Gbps USB●  3.2 Gen 2称为USB 3.1，速度10 Gbps USB●  3.2 Gen 2x2，普遍被认为是USB 3.2，速度可达20Gbps

USB4.0

2019年，USB4.0以USB3.2架构为基础打造，重新定义多终端设备共享和单路高速链路连接方案

具备自动扩展数据分配能力，多种数据传输时互不影响，并可限度高效利用带宽，双通道环境下可达40Gbps，USB 4.0速度是USB 3.0的8倍

晶扬电子 针对USB2.0 ESD/EOS晶选方案

与传统的USB一样，USB2.0端口也是即插即用。在热插拔及平时接触过程中，都存在静电浪涌的风险

由于其接口体积更加小巧，内部元器件集中化程度更高，受到静电浪涌危害的可能性会更大。因此在电路设计中需添加合适的防护器件

对于USB2.0高速接口，选择ESD/EOS保护组件时需考虑以下几点：

1、为确保通过USB2.0传递高速信号完整性，选择该器件时需使用具有较低电容的ESD保护组件

2、具有较高的ESD耐电压能力，至少要承受IEC 61000-4-2中规定的8kV接触放电的ESD冲击

3.ESD钳位电压是比较重要参数。较低的钳位电压表示更好的保护性能

为满足以上要求，晶扬电子针对USB2.0 ESD/EOS推出其产品

TT0514TL

TT0521SB

TS0511LE

公司简介

深圳市晶扬电子有限公司

作为一家国家高新技术企业，深圳市高新技术产业协会会员

多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的IC DESIGN HOUSE，总部位于香港（香港天微电子有限公司）

国内最早从事电子元器件配套服务的高科技型企业，在成都、杭州等地设立了研发中心，并已有近百项有效知识产权

目前晶扬电子致力于半导体工艺的保护器件、MOSFET、二三极管、瞬态电压抑制二极管、电源管理IC（LDO，DC-DC）、限流IC以及段码驱动IC的研发与应用

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电话：0755-86024973，19867705160

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