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射频易商城_芯片电容_如何制造高介薄型陶瓷芯片电容⑤

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究⑤

2. 2　过渡层厚度对器件性能的影响

选用 HT 作为陶瓷介质基片, 由于复合膜层( 如TaN/TiW、 TiW/Ni) 不易准确分解各层的厚度, 会使测试数据出现错误。因此针对过渡层厚度对器件性能影响的分析, 高介薄型陶瓷芯片电容的制备选择温度稳定性较好、制备难度较低的 TiW/Au 膜系, 通过控制溅射的参数, 使过渡层的厚度分别为 80, 400, 600nm, 种子层溅射完成后观察表面覆盖情况, 然后进行外金属电极制备和分片切割, 最后测量高介薄型陶瓷芯片电容的性能。
2. 2. 1　不同过渡层厚度样品表面覆盖情况
在溅射完成后, 通过 SEM 观察样品表面, 不同厚度过渡层对应样品表面的 SEM 图如图 6。从图 6 ( a) 可以看出, 采用 80 nm 厚度过渡层制备的电容样品表面膜层覆盖不完全, 表面有明显的陶瓷介质晶粒。当过渡层厚度增加至 400 nm 时, 电容样品表面覆盖情况有明显改善, TiW 层将陶瓷表面包裹完全, 基本看不见裸露在外的陶瓷晶粒, 充分阻断了表

面金属电极与陶瓷介质的接触。再将缓冲层厚度提高到 600 nm 后, 电容样品表面包裹覆盖情况进一步提高, 已经完全看不到裸露在外的陶瓷晶粒, 而且也看不见晶粒的轮廓, 整个缓冲层表面平整、光滑且致密。因此从膜层覆盖的情况来看, 膜层厚度在 400 nm 时已经能比较好地覆盖介质陶瓷, 当增加到 600 nm 后, 表面覆盖更加完整, 已基本看不到表面晶粒的轮廓。

推荐产品一、丽芯微电 100pF, ≥1G@50V, 单面留边单层芯片电容

型号：C12-15-50V-101
容值/容差：100pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电 10pF, ≥100G@100V, 单面留边单层芯片电容

型号：C12-15-100V-100
容值/容差：10pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥100G@100V
损耗@频率：≤4.0@1KHz
封装尺寸：0.381*0.381*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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