射频易商城_芯片电容_如何制造高介薄型陶瓷芯片电容⑦

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导读：很多朋友不知道芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究，如何选择芯片电容。射频易商城RFeasy.cn为你解答芯片电容中的高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究

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高介薄型陶瓷芯片电容制备工艺研究⑦

2. 3. 1　 切割刀具对崩边和背金卷边的影响

有关研究指出, 砂轮刀具金刚砂颗粒的大小直接影响切削品质。 金刚砂颗粒较大的刀具在划切时每次带走的切削粉末较多, 切削能力强, 但由于撞击严重,容易产生较大的崩裂 [ 11] 。 所以选择颗粒小的薄型刀具有助于减小介质陶瓷的崩边, 本工作分别选用 0. 25,0. 15 mm 的树脂刀( 表面有金刚砂颗粒) 和 0. 05 mm 金属刀( 表面无金刚砂颗粒) , 采用相同的切割参数进行切割。

表面没有粘附金刚砂颗粒, 对样品的撞击比较小, 崩边尺寸较小, 获得了良好的介质边缘, 但同时也可以看出, 无论哪种刀具都造成了比较严重的背金卷边。总体来看, 0. 05 mm 的金属刀具在获得良好的样品边缘的同时, 还能保持较小的背金卷边。
2. 3. 2　切割固定方式对崩边和背金卷边的影响
在工程应用中, 为了 规避背金卷边带来的困扰,常规的做法是在切割路径上去除金属, 制作出切割道,避免金属粘连而发生卷边毛刺, 由 于高介薄型陶瓷电容器基片晶粒较粗, 基片厚度薄, 基片整体脆性强,极易出现碎裂, 如果采用去除背金制作切割道的方式,需经过一整套图形转移制程, 这在工艺过程中会导致片损严重。 因此本工作通过解析切割过程中各材质之间的形变关系发现, 背金卷边与固定物的硬度相关,其切割过程中的形变。

推荐产品一、丽芯微电3300pF, ≥1G@25V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@25V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

推荐产品二、丽芯微电330pF, ≥1G@50V, 单面留边 单层芯片电容

型号：C12-25-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
温度系数：±15%@-55～+125℃
绝缘电阻@电压：≥1G@50V
损耗@频率：≤2.5@1MHz
封装尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特点：尺寸小、容值大，结构简单，单面电极留有绝缘边;采用MM结构，产品寄生参数小，使用频率高至100GHz;表面纯金电极，适合金丝、金带等微组装工艺;适合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、导电胶粘接;七专级/ 普军级可选。

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